感應耦合式(ICP-RIE)電漿蝕刻系統RIE-230iP
多方位loadlock系統

Description

採用電感偶合式電漿(inductively coupled plasma)放電模式的load-lock ICP電漿蝕刻系統. 提供給多種材料的超精緻高速製程. 搭載獨特旋渦線圈電極, 能有效率的產生穏定及高密度的電漿, 蝕刻精度高的矽晶, 多種金屬及化合物薄膜的異向性蝕刻. 再加上, ø230mm的載盤, 同時加工多片的化合物半導體.

Key Features and Benefits

  • 最大可以加工ø230mm (ø3" x 5, ø4" x 3, ø8" x 1)的製程
  • Samco的獨特旋渦線圈(Tornado ICP™) 可以有效率地產生穏定, 高密度的電漿, 以達成高選擇比, 精確及良好的均勻性蝕刻.
  • 對稱勻稱的排氣連接到TMP的設計, 產生有效率的排氣氣流.
  • 最佳化的氣體集合管(Gas manifolds)傳送均勻的工藝氣體.
  • 選配的分光式/干涉式終點偵測系統, 精準地管控不同蝕刻深度的製程.
  • 氦氣冷卻E-chuck及反應室內部側壁, 可以在穏定條件下進行蝕刻

Applications

  • GaN, GaAs, InP,等化合物半導體的高精細製程
  • 加工難蝕刻材料. 例如: 鐵電性及電極材.