感應耦合式(ICP-RIE)電漿蝕刻系統RIE-230iPC
多方位真空晶圓裝卸(cassette)系統

Description

採用電感偶合式電漿(inductively coupled plasma)放電模式的ICP電漿蝕刻系統. 具備真空晶圓裝卸(cassette)室. 提供給多種材料的超精緻高速製程. 搭載獨特旋渦線圈電極, 能有效率地產生穏定及高密度的電漿. 蝕刻精度高的矽晶, 多種金屬及化合物薄膜的異向性蝕刻. 再加上, ø230mm的載盤, 可同時加工多片的化合物半導體.

Key Features and Benefits

獨特旋渦線圈電極

可以有效率地產生穏定, 高密度的電漿, 以達成高選擇比, 精確及良好的均勻性蝕刻.

低損害製程

ICP產生的高密度電漿可以達成底偏壓(Low-bias), 低損害(Low-damage)製程.

溫度控制

氦氣冷卻E-chuck及反應室內部側壁, 可以在穏定條件下進行蝕刻.

Applications

GaN, GaAs, InP,等化合物半導體的高精細製程

加工難蝕刻材料. 例如: 鐵電性及電極材.