去る2月16日（月）に、北海道大学 電子科学研究所 教授の松尾先生をお招きし、「ALDの最近の話題」と題した講演会を開催しました。
半導体デバイスの微細化・高性能化が進む中、原子レベルで膜厚を制御できるALD (Atomic Layer Deposition: 原子層堆積法) は、先端ロジック、メモリ、パワー半導体、半導体レーザーなど幅広い分野で重要な成膜技術として位置付けられています。特に三次元構造デバイスにおいては、高い段差被覆性と精密な膜質制御が求められており、ALDの果たす役割はますます高まっています。
ご講演では、ALDの最新の研究動向、デバイス応用、材料開発、市場動向まで幅広い内容をご紹介いただき、当社技術者にとって貴重な機会となりました。さらに、世界のALD市場は今後も成長が見込まれており、先端半導体のみならず、多様な材料・機能分野への展開が進むことが示されました。エリア選択ALD（AS-ALD）や窒化膜対応、成膜高速化など、今後求められる技術課題についても議論がなされました。
ご講演の様子（当社生産技術研究棟1F会議室）
当社は、ALD装置、ALE装置など、原子レベルでの薄膜形成・加工できる装置を提供しています。今回の講演で得られた知見を、今後の装置開発およびプロセス技術の高度化に活かし、研究開発用途から量産用途まで幅広いお客様のニーズに応えてまいります。
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