当社開発部 楠田らが一部を執筆した専門書籍「Three-Dimensional Integration of Semiconductors」が出版されました。
本書は、最新の3次元半導体のプロセス、材料、応用分野を紹介しており、チャプター3ではTSV(Through Si Via)形成プロセスを紹介しています。その中で、当社開発部 野中知行がボッシュプロセスによるSi深掘り加工を用いたビアホール形成を、また同じく開発部 楠田豊が低温カソードカップリングCVDを用いたビアホール内壁へのSiO2成膜について執筆しました。
本書は、入門書として初学者に読んでもらうだけではなく、3次元半導体に関わる全ての人の助けとなるよう出版されています。
タイトル:「Three-Dimensional Integration of Semiconductors」
編集者:大阪府立大学 教授 近藤 和夫氏
嘉田 守弘氏
株式会社東芝 大分工場 高橋 健司氏
出版社:Springer
価 格:176,79 €(Hardcover)、142,79 €(eBook)
購入先:http://www.springer.com/gp/book/9783319186740