当社は、半導体の高集積化に大きく期待されるTSVでの貫通ビアホール形成プロセス向けの本格量産の開始に先駆け、12インチウエハー用の絶縁膜形成装置の新製品（Model : PD-330STC）の拡販を7月13日より開始します。

　基板の大面積化を図ると膜厚均一性や成膜速度の低下、ストレス制御などが問題となるが、PD-330STCはこれらの問題をクリアしており、従来のPD-270STシリーズと同等の膜厚均一性と成膜速度（100nm/min以上）を保持しながら低温（150℃以下）でステップカバレージに優れた成膜を可能としています。また、オプションで自動ローディング装置による自動処理にも対応が可能で（右写真はオプション付）、PD-330STCの姉妹機は、すでに複数台納入実績もできています。

　TSV向けでは、絶縁膜形成装置のほかに高速シリコンディープエッチング装置『RIE-800iPB』も投入しており、本格量産が始まろうとしているTSV市場において、これらの装置をターンキーで提供する『ワン・ストップ・ソリューション』を提案し、同市場のリーディングカンパニーを目指していきます。 →PD-330STCの詳細な仕様についてはこちら