新型の高速シリコンディープエッチング装置（Model : RIE-800iPB）の販売を開始しました。
当社は、2003年に日本の装置メーカーとしては初めてボッシュプロセスのライセンスをドイツのロバート ボッシュ社（本社 シュツットガルト）より供与されています。ボッシュプロセスは、エッチングプロセスと側壁への成膜プロセスを交互に繰り返すことで、高い選択比を保持し、高異方性エッチングを可能にする技術です。加速度センサーやジャイロセンサーなどの自動車部品分野、μTASなどの医療機器分野、インクジェットプリンターなどで幅広く使用されています。
当社は、実績豊富なトルネードICPをベースに本技術を取り入れた汎用装置『RIE-200iPB』を表面マイクロマシニング向けに2004年に市場投入しました。通常のボッシュプロセスを行う場合、『RIE-200iPB』で2～3μm/minのエッチング速度は問題なく達成できますが、貫通孔などで必要な10μm/min以上のハイレートプロセスには、プラズマ発生源や反応器構造の改良が必要となります。
今回販売を開始する『RIE-800iPB』は、『RIE-200iPB』とは異なる新型の高速エッチング装置です。マスクパターンにも依存しますが、現在までに15μm/min以上のエッチング性能を持ちながら、ノッチと呼ばれるエッチング底面でのくい込みがないプロセスが実現できます。
なお、この装置は京都新聞(H18.4.20)、日刊工業新聞(H18.4.20)、日経産業新聞(H18.4.20)の各紙で紹介されました。