半導体の高集積化に大きく期待される三次元実装分野向けに貫通電極形成プロセス用の絶縁膜形成CVD装置を販売していますが、受注が好調に推移し、さらに拡大の兆しを見せています。
三次元実装技術は、半導体パッケージの集積度を上げるため、同種または異種デバイスを 作りこんだシリコンウエハーを積層し、立体的に配置することで実装密度を上げる技術です。立体化する際に深いビアホールを形成し、この中に絶縁膜と電極を形成する必要があります。
三次元実装技術は、超先端電子技術開発機構（ASET）※が開発の主導的な役割を果たしたもので、サムコの絶縁膜形成装置は、ASETのプロジェクトで使用されました。その実績を活かして同分野向けの成膜技術を確立し、プラズマCVD装置の『PD-270STシリーズ』を市場投入しています。
『PD-270STシリーズ』は、最近、国内メーカー（4社）より4台を受注し、さらに6台の受注がほぼ確定しています。今回の受注製品の中には、バッチ式のほか本格的な量産用途向けの装置であるカセット式装置も含まれています。
さらに来年以降には、この装置とセットでシリコンのディープエッチング技術であるボッシュプロセスを用いた新型のビアホール形成用高速エッチング装置を投入する予定です。この装置と先のCVD装置を組み合わせることで、三次元実装ならびに電子部品分野で用いられる深い孔加工に全面的に対応することが可能となります。
※ 1999年度から5年間、通産省による国家プロジェクト『超高密度電子SI技術の研究開発』の一環として行われました。
なお、この件は日刊工業新聞(H17.12.13)で紹介されました。