2026年3月に開催される「第73回応用物理学会春季学術講演会」において、当社社員が研究成果を発表します。
本講演では、熱及びプラズマ原子層堆積法によるHfO₂薄膜のHFエッチング特性の比較について報告します。HfO₂は半導体デバイスやMEMS分野で利用される重要な高誘電率材料であり、その加工特性の理解はデバイスプロセスの最適化において重要です。
■日時 2026年3月15日（日）16:00～16:15
■場所 70A_101（70周年記念講堂）東京科学大学 大岡山キャンパス
■講演番号 15p-70A_101-7
■リンク https://pub.confit.atlas.jp/ja/event/jsap2026s/presentation/15p-70A_101-7
本研究では、成膜プロセスの違いがHFエッチング挙動に与える影響を評価し、薄膜特性およびプロセス開発に関する知見を紹介します。