2026年3月15日から開催される第73回 応用物理学会春季学術講演会において、熱及びプラズマ原子層堆積法によるHfO₂薄膜のHFエッチング特性の比較について発表します。HfO₂は半導体デバイスやMEMS分野で利用される重要な高誘電率材料であり、その加工特性の理解はデバイスプロセスの最適化において重要です。
■日時 2026年3月15日（日）16:00～16:15
■場所 70A_101（70周年記念講堂）東京科学大学 大岡山キャンパス
■講演番号 15p-70A_101-7
■講演タイトル 「熱及びプラズマ原子層堆積法によるHfO₂薄膜のHFエッチング特性の比較」
■講演会リンク https://pub.confit.atlas.jp/ja/event/jsap2026s/presentation/15p-70A_101-7
本研究では、成膜プロセスの違いがHFエッチングに与える影響を評価し、薄膜特性およびプロセス開発に関する知見を紹介します。
＜お問い合わせ＞
サムコ株式会社
広報宣伝室 土橋 篤志
075-621-7841
tsuchihashi@samco.co.jp