SEMICON Japan 2011 の報告

　半導体製造装置および半導体材料産業の世界最大の展示会であるセミコン・ジャパン2011が12月7日から9日までの3日間、幕張メッセで開催されました。出展社数831社、総来場者数63,060人と、前年から規模を若干縮小しましたが、当社のブースには今年も多くのお客様をお迎えし、大盛況のうちに終えることができました。
　当社は、『Green Device Innovation ～Wide Band-gap Materials～ 』をテーマに次世代パワーデバイスへの応用が大きく期待されているワイドバンドギャップ半導体のSiCやGaNの加工装置を最新の技術データとともに紹介し、高い評価をいただきました。また、3次元LSIプロセスへの応用で高く評価されているTEOS-SiO2膜形成用プラズマCVD装置やMEMS/TSV分野の生産に対応したボッシュプロセス対応の高速シリコンディープエッチング装置などの紹介も行いました。 当社の提供するソリューションには、国内だけでなく、中国、韓国、台湾などからの来場者にも高い関心を寄せていただきました。
　ご来場いただきましたお客様には、厚くお礼申し上げます。


SEMICON Japan 2011の当社ブースの様子