液態源沉積(LS-CVD)系統 PD-100ST
最大可處理ø100mm(4吋)晶圓的直開式(Open-load)系統

概要

PD-100ST是R&D專用低溫(80 ~ 400°C), 高沉積速率(>300nm/min)的電漿增强型CVD系統. Samco獨特的LS-CVD系統採用自給偏壓沉積技術及TEOS液態源, 可沉積低應力的二氧化矽薄膜(SiO2), 從薄膜到極厚的膜(up to 100µm). 平滑, 小體積設計, 使PD-100ST不占無塵室空間.

特色

  • 最大可處理ø100mm(4吋)晶圓
  • 陰極耦合的自給偏壓技術, 實現低引力膜及高速率(>300 nm/min) 沉積
  • 利用低溫沉積, 可在塑材表面上沉積.
  • 極佳的高深寬比階梯覆蓋能力.
  • 利用鍺(Ge), 磷(P), 硼(B)元素的液態前驅物(liquid precursor)來控制反射率.
  • 極佳的均勻性及再現性
  • 平滑, 小體積設計, 不占無塵室空間

應用

  • 在塑膠上沉積保護薄膜.
  • 在3D LSI的通孔(via)側壁沉積絕緣膜.
  • 製作光波導(fiber core/cladding)
  • 矽晶生產用的光罩加工
  • 沉積高對比構造上的階梯覆蓋膜. 列如: MEMS devices
  • SAW devices的溫度補償膜及鈍化處理