原子層沉積(ALD)設備 AD-800LP
優秀的製程重複性和穏定性
概要
AD-800LP 是一種先進的裝載鎖定式原子層沉積（ALD）系統，其核心優勢在於能夠對薄膜厚度進行原子級的精確控制。此系統整合了熱原子層沉積與電漿增強原子層沉積技術，能夠沉積多樣化的材料，涵蓋氧化物、氮化物以及導電薄膜等。
本系統透過將有機金屬前驅物與氧化劑交替引入反應腔，確保薄膜沉積僅發生於表面反應，此機制不僅確保了對薄膜厚度的卓越控制，更實現了優異的平面均勻性與出色的階梯覆蓋能力。此外，AD-800LP 採用脈衝式前驅物輸送方式，輸送時間可短至數百毫秒甚至更短，此舉有效降低了前驅物的損耗，顯著提升了沉積效率。
在晶圓處理能力方面，AD-800LP 配備的載盤傳輸系統可靈活處理單一 8 英寸晶圓，亦能同時處理三片 4 英寸晶圓，顯著提升了生產效率與彈性。
我們誠摯邀請您進一步了解 AD-800LP 系統的技術細節，以探索其如何為您的先進製程帶來革命性的提升。
特色
- 原子級控制薄膜均勻性
- 可於高深寬比的結構上沉積保形膜
- 優秀的晶圓內均勻性和重現性， 同時實現穩定的製程
- 氣體管路和排氣均優化過，獨特的反應腔體構造可抑制微粒的產生
- 藉由採用電容式耦合電漿(CCP)將反應腔體的體積壓縮到最小,可縮短吹除(Purge)所需時間以加快循環(Cycle)速度
應用
- 氮化膜(AlN、SiN)及氧化膜(AlOx、SiO2)的低溫沉積
- 電子元件的閘極絕緣膜
- 半導體、有機EL的鈍化膜
- 半導體雷射的反射面
- MEMS等3D結構上的薄膜沉積
- 石墨烯上的薄膜沉積
- 奈米碳管保護膜的覆蓋層
