原子層沉積(ALD)設備 AD-10P
無孔洞薄膜沉積
概要
AD-10P 開放式負載原子層沉積（ALD）系統，提供原子級的薄膜厚度精密控制能力。此系統結合熱原子層沉積與電漿增強原子層沉積技術，得以沉積多樣化的材料，涵蓋氧化物、氮化物及導電薄膜等。透過將有機金屬前驅體與反應物交替引入反應腔室，確保沉積反應僅發生於表面，進而實現對薄膜厚度之卓越控制、優異的晶圓內均勻性，以及出色的階梯覆蓋能力。此外，脈衝式前驅體輸送機制，其持續時間短至數百毫秒或更短，有效降低前驅體損耗並顯著提升沉積效率。此系統可單獨處理一枚直徑 8 英吋之晶圓，亦能同時處理三枚直徑 4 英吋之晶圓。
特色
- 達成原子級別的均勻薄膜控制
- 實現對高深寬比結構的共形沉積
- 具備優異的平面均勻性與高度重複性
- 腔室設計旨在將微粒產生量降至最低
應用
- 次世代功率半導體的閘極氧化膜及鈍化膜的沉積
- MEMS等3D結構上的薄膜沉積
- 雷射共振腔表面的薄膜沉積
- 奈米碳管的鈍化膜
