原子層沉積(ALD)
原子層沉積（ALD） 是一種先進的薄膜生長技術，專為電子設備（如功率元件與射頻元件）提供無針孔且均勻的絕緣薄膜沉積能力。此技術具備多項卓越優勢：其一，在高深寬比的溝槽與穿孔結構上展現出色的共形性；其二，實現埃級的薄膜厚度精確控制；其三，基於連續且自限的反應機制，可達成薄膜組成的可調性。 Samco 公司致力於提供高效且靈活的 ALD 解決方案，包括開放式負載 ALD 系統與具備負載鎖定機制的 ALD 系統，以滿足多元的產業需求。
-
原子層沉積(ALD)設備 AD-10P
原子級控制薄膜厚度
-
原子層沉積(ALD)設備 AD-800LP
適合沉積電子元件用的絕緣膜和鈍化膜
特色
- 自我侷限地逐層沉積
- 高對比結構上的極佳覆蓋性
- 無針孔及無灰塵
- 應用性廣的前驅物質及製程
ALD製程圖示
- 利用TMA (trimethylaluminum) 及H2O / O2電漿沉積AIOx膜.
- 重複A~D的循環.
- 在step B清腔後只留下單一原子層(自我侷限性).
