CVD Systems

PD-270STP

液態源CVD設備

莎姆克的PD-270STP是使用液態源(TEOS)於低溫環境下高速沉積氧化矽膜的獨特設備。

 

圍繞於陰極板周圍的強力電場可產生大量電離能從而允許以低內壓沉積氧化矽膜至約30μm的厚度。

 

我們還有晶圓搬送腔體型(PD-270STL)的設備可供選擇。

用途

  • 氧化矽膜(最厚至30μm)的高速沉積
  • 光波導的製造
  • MEMS犧牲層的沉積
  • 塑膠材料保護膜的沉積
  • 低溫沉積(從環境溫度至300°C)

特徵

  • 高沉積速率(3000-5000 Å/min)
  • 可於高選擇比表面沉積
  • 莎姆克的液態TEOS沉積技術可達到高覆蓋率
  • 少微粒-獨特的反應腔體設計可將於反應腔體內形成的微粒減至最少
  • 可控制折射率
  • 全自動化一鍵式操作並同時具有手動操作模式

尺寸

設備本體 1370(W) x 1800(D) x 2000(H) mm

液態源供應系統: 1370(W) x 563(D) x 2000(H) mm

真空幫浦: 761(W) x 708(D) x 946(H) mm


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