Etching Systems

RIE-800iPB

深反應性離子蝕刻設備
莎姆克RIE-800iPB是利用高密度電漿來高速蝕刻矽的ICP蝕刻設備,適合用於MEMS和電子裝置的製造。

 

RIE-800iPB專為博世製程設計(已取得博世公司的許可),是專門蝕刻矽的設備。其反應腔體、電極、承座和真空排氣系統的特殊設計可解決他牌設備常碰到的問題,達到高蝕刻率(~50μm/min)、垂直、高深寬比和領先業界的蝕刻選擇比(~250:1)。

 

用途

  • MEMS器件的製造
  • 三維封裝中的矽穿孔
  • 感應器的製造
  • 矽晶片的切片

特徵

  • 最大可處理8英吋晶圓(亦有其他尺寸可供選擇)
  • 手動裝載晶圓後機器手臂會自動將晶圓運到晶圓搬送腔體
  • 靜電吸盤可控制晶圓溫度
  • 高速真空排氣系統可改善側壁的形狀
  • 可垂直蝕刻
  • SOI應用(附加選項)
  • 獨特的承座設計允許快速清洗並可縮短停機時間
  • 可儲存製程配方和記錄數據

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