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RIE-200iPC(量產型設備)

ICP蝕刻設備
莎姆克的RIE-200iPC是針對量產目的而設計的ICP蝕刻設備。它具有專利龍捲風旋管,可製造出安定且高密度的電漿來確保高蝕刻選擇比、高蝕刻準確性和高蝕刻均勻度。RIE-200iPC對於需要高速深蝕刻二氧化矽以及如InP、GaN、AlGaAs、GaAs等的化合物半導體薄膜來說是最理想的設備。

 

此外,莎姆克還另有推出RIE-230iPC。它具有晶圓卸載腔體和晶圓搬送腔體並可處理12枚2英吋或3枚4英吋晶圓。

用途

  • 電子和發光裝置製造過程中GaN、GaAs、InP的低損傷蝕刻
  • 存取記憶裝置製造過程中鐵電材料的蝕刻
  • 微型機器製造過程中的高速蝕刻

特徵

  • 可直接搬送最大至8英吋晶圓
  • 量產型設計
  • 可控制晶圓溫度(氦氣冷卻)
  • 使用靜電吸盤固定晶圓
  • 使用晶圓裝載盤可同時處理大量晶圓
  • 具有觸碰螢幕和全自動操作
  • 可管理數據和製程配方
  • 搭配使用電腦即可保存數據資料

尺寸

設備本體: 1206(W) x 2000(D) x 2003(H) mm


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