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RIE-200iP

ICP蝕刻設備
莎姆克的RIE-200iP具有晶圓搬送室,適合用於研發和半量產目的。它載有我們的專利龍捲風ICP電極,可產生穩定和高密度的電漿,以此確保蝕刻的高選擇比、高精確度和優秀的蝕刻均勻度。另外,RIE-200iP也具有莎姆克獨創的多方向排氣系統,可為晶圓提供穩定均勻的反應氣體。

用途

  • VLSI裝置的製造過程中各種矽化膜的非等向性蝕刻
  • GaAs、GaN、InP和其他化合物半導體材料的蝕刻
  • 高速裝置的製造
  • 功率半導體(MMIC、HEMT等)的製造
  • 通信設備(SAW過濾器等)的製造
  • 波導裝置的製造
  • 金屬膜的蝕刻

特徵

  • 最大可處理6英吋的晶圓
  • 載有晶圓搬送室因此可使用氯系反應氣體
  • 可調節晶圓溫度(氦氣冷卻)
  • 專利龍捲風ICP電極
  • 多方排氣系統可改善均勻度和效能
  • 可重複進行金屬蝕刻
  • 製程配方的儲存和數據資料的記錄
  • 小體積和全功能的設計

尺寸

設備本體: 1000(W) x 1100(D) x 1604(H) mm

真空幫浦: 700(W) x 480(D) x 513(H) mm


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