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RIE-200C(量產型設備)

反應性離子蝕刻設備

RIE-200C是RIE-10NR的全自動化版設備,專門為大量生產而設計。它具有高精度並可非等向性蝕刻各種矽化膜。


用途

  • 極大型積體電路裝置中矽的非等向性蝕刻
  • 難熔金屬膜的蝕刻
  • 光波導的製造
  • 微型機械的製造
  • 各種感測器的製造
  • 晶圓級晶片尺寸封裝

特徵

  • 可自動處理5、6或8英吋晶圓
  • 觸碰螢幕允許全自動操作和製程數據管理
  • 配有Mapping Sensor
  • 雙搬送手臂可大幅縮短工作時間
  • 反應腔體可高速排氣
  • 將無塵室中的佔地空間縮減至最小的設計

尺寸

設備本體: 750(W) x 1770(D) x 1600(H) mm

真空幫浦: 522(W) x 163(D) x 216(H) mm


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