Company

Company History

HOME > 企業介紹 > 發展歷程


1979年 9月 社長辻理創立SAMCO國際研究所
1980年 7月 發表半導體製程用大型CVD設備
1981年 4月 發表日本第一台國產化合物半導體生產用途的MO-CVD設備
1984年 7月 於日本東京品川區設立東京辦事處(現東京分店)
1985年 6月

搬至現址
開始販賣美國March Instrment(現Nordson)設備
1987年 2月 於美國加州設立OPTO Films研究所
1990年 11月 發表使用液態源的高速CVD設備
1991年 3月 於日本京都伏見區設立研究開發中心
1993年 2月
9月
於日本茨城縣土浦市設立筑波辦事處(現筑波營業所)
於日本愛知縣愛知郡長久手町(現長久手市)設立東海營業所(現東海分店)
1994年 2月 開始製造及販賣使用美國Symmetric Corporation技術的鐵電CVD設備
1995年 7月
12月
開發出特定氟氯烷無公害化技術
發表針對一般用途的小型蝕刻設備RIE-10NR
1996年 12月

發表高密度電漿ICP蝕刻設備RIE-101iP

1997年 11月
與日本麒麟麥酒株式會社共同開發出於寶特瓶內壁沉積類金剛石碳基薄膜的技術
發表小型高密度電漿ICP蝕刻設備RIE-200iP
1998年 3月
12月
於廣島市安佐南區設立廣島辦事處
發表針對一般用途的小型電漿ICP蝕刻設備PD-220
1999年 7月 設立SAMCO工程株式會社並成立產品服務部門
2000年 1月 於英國劍橋大學內成立研究實驗室
2001年 5月
7月
10月
於日本證券業協會(JSDA)上櫃
於台灣新竹市設立台灣事務所(已於2009年1月撤離)
於仙台市青葉區設立仙台辦事處(現仙台營業所)
2002年 7月 位於京都市伏見區的生產技術研究大樓改建竣工
2003年

11月

12月

發表量產用電漿CVD設備PD-220LC

導入德國Robert Bosch公司的深層蝕刻技術

2004年 11月
12月

於中國上海市設立上海事務所
正式更名為SAMCO株式會社
將股票交易單位從1000股降為100股
從日本證券業協會(JSDA)下櫃並於日本大阪證券交易所(JASDAQ)上櫃

2005年

2月
5月

9月

12月

成立量產設備事業部
發表研究實驗用的電漿CVD設備PD-2203L

與英國劍橋大學共同開發出"鐵電奈米管量產技術"並提供給英國企業

發表電子基板洗淨用小型電漿洗淨設備PC-300

2006年 3月
5月
9月
增設產品服務中心
發表MEMS用途高速蝕刻設備RIE-800iPB
與中國清華大學簽暑關於奈米加工技術的共同研究
2007年 11月 發表半導體鐳射用蝕刻設備RIE-140iP/iPC
2008年 3月
5月
10月
11月
於日本京都市伏見區增設第二研究開發大樓
發表量產GaN膜生長用MOCVD設備MCV-2018
於台灣成立"莎姆克股份有限公司"以提供在台維修服務
發表GaN晶圓用蝕刻設備RIE-330iP/iPC
2009年 1月
10月
"莎姆克股份有限公司"正式運作
發表MEMS研究開發用高速蝕刻設備RIE-400iPB
2010年

4月

 

7月

 

8月
9月

由於JASDAQ證券交易所與大阪證券交易所合併,於大阪證券交易所JASDAQ市場(現大阪證券交易所JASDAQ (Standard))上櫃

發表TSV用量產行電漿CVD設備PD-330STC

發表LED用量產型電漿CVD設備PD-5400

於美國北卡羅來納州設立美國東部事務所

於中國北京市設立北京事務所

2011年 12月 發表針對亞洲市場的蝕刻設備RIE-331iPC
2012年

5月

11月

於越南胡志明市設立越南服務中心

發表SiC功率器件用蝕刻設備RIE-600iP

2013年

7月

 

10月

11月

由於東京證券交易所與大阪證券交易所合併,於東京證券交易所JASDAQ (Standard)上市

變更股票交易市場至東京證券交易所第二部市場

發表SiC功率器件用量產型蝕刻設備RIE-600iPC

發表MEMS用量產型蝕刻設備RIE-800iPC

2014年

1月

3月

5月

9月

變更股票交易市場至東京證券交易所第一部市場

與美國Valence Process Equipment Inc.簽署MOCVD設備的銷售代理合約

併購位於列支敦斯登宮國的UCP Processing Ltd.公司90%的股權使其成為子公司,其更名為amco-ucp AG

於日本福岡市中央區設立福岡營業所

CONTACT US

TECH NOTES

Back to Top