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Manufacturing Process

化學機械研磨

(Chemical Mechanical Polishing)

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光蝕刻

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高速深蝕刻

RIE-800iPB

鑽孔

使用博世製程鑽孔

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LS-CVD

PD-270STLC

在孔壁上形成絕緣膜

清除光刻劑並形成TEOS-SiO2絕緣膜

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乾式蝕刻

RIE-200C

露出下部電極

蝕刻電極上的TEOS-SiO2

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形成阻擋層

透過TiN來防止銅擴散

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填入銅

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化學機械研磨

(Chemical Mechanical Polishing)

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乾式蝕刻

RIE-200C

RIE-10NR

利用反應離子使銅暴露

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LS-CVD

PD-270STLC

形成SiO2

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光蝕刻

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乾式蝕刻

RIE-200C

RIE-10NR

蝕刻SiO2

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堆疊式存儲器

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