ICPエッチング装置 RIE-200iP

概要

RIE-200iPは、放電形式に誘導結合プラズマ(Inductively Coupled Plasma)を採用し、各種材料の超微細加工を高速で行うことを目的としたロードロック式ICPエッチング装置です。本装置では、独自のトルネード型コイル電極の採用により、安定した高密度プラズマを効率よく発生させ、シリコンおよび各種金属薄膜、化合物半導体などの高精度の異方性エッチングが可能です。

特長

トルネード型コイル電極の採用

安定した高密度プラズマを効率よく発生させることができ、高い選択比と高精度で均一性の良いエッチングが可能です。

低ダメージプロセスが可能

ICPによる高密度プラズマ生成により、低バイアス(-100V以上)での低ダメージプロセスが可能です。

温度制御

ESCとHeによるステージの冷却および反応室内側壁の温度制御により、安定した条件でのエッチングが可能です。

応用例

・GaN、GaAs、InPなどの化合物半導体の高精度加工

・強誘電体や電極材料など難エッチング材料の加工

資料請求・お問い合わせ

トラブル対応・メンテナンス依頼