プラズマALD装置 AD-800LP
電子デバイスの絶縁膜、パッシベーション膜に
概要
AD-800LPは、原子レベルの膜厚制御が可能なALD(Atomic Layer Deposition: 原子層堆積)装置です。有機金属原料および酸化剤を交互に反応室に供給し、表面反応のみで成膜します。本装置はロードロック室を有し、反応室を大気開放することがないため、再現性に優れた成膜が可能です。
特長
- 原子一層レベルの均一なレイヤーコントロールが可能です。
- 高アスペクト比構造へのコンフォーマルな成膜が可能です。
- 面内均一性と再現性に優れ、安定したプロセスを実現します。
- 原料のガスライン、ガスフローを最適化した独自の反応室構造により、パーティクルを抑制します。
- 容量結合プラズマ(CCP)方式を採用することで、反応室容積を最小化しており、ガスのパージ時間を短縮し、1サイクルを高速化します。
応用例
- 窒化膜(AlN、SiN)の成膜、酸化膜(AlOx、SiO2)の低温成膜
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電子デバイスのゲート絶縁膜
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半導体・有機EL等のパッシベーション膜
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半導体レーザーの反射面
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MEMSなど3次元構造への成膜
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グラフェンへの成膜
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カーボンナノチューブの保護膜粉体のコーティング