2023年11月17日

第三研究開発棟新設を決定

当社は中期経営計画において重点課題と位置付けるクラスターツールシステムの拡販のための研究開発機能をさらに充実させるため、本社（京都市伏見区）周辺に「第三研究開発棟（仮称）」を新設し、2024年12月から運営開始することを決定しました。

当社は1991年に設立した研究開発センター（京都市伏見区竹田田中宮町94番）で化合物半導体向けのCVD装置、ドライエッチング装置のプロセス開発を行ってきました。近年当社には化合物半導体の研究開発用装置だけでなく、生産用装置の要望が増加してきており、2021年には電子デバイス製造向けクラスターツールシステム「クラスターH™」の販売を開始しました。

今回新設を決定した第三研究開発棟では、生産が本格化するSiCパワーデバイス、GaNパワー/RFデバイス、GaAs VCSEL、MEMS、高周波フィルターなどの分野で高度化するニーズに応えるため、最先端の設備を用意します。約180平方メートルのクリーンルームはクラス1,000（米国連邦規格）の清浄度で、ポンプ類はバックヤードに設置し、パーティクルの発生を抑え、生産工場と環境を合わせます。

最新の生産用装置や、走査電子顕微鏡(SEM)、膜厚計などの計測機器を刷新し、効率的かつスピーディな研究開発を進めることができます。クラスターツールシステムの拡販のための開発を重点的に行い、生産工場への参入を狙います。また、計画的に増員を行い、顧客・マーケットのニーズに即応した開発体制で、当社の研究開発の中核拠点とする予定です。現在の研究開発センターの機能は第三研究開発棟に移行します。

第三研究開発棟開設後、現在の研究開発センターには旧式装置などを残し「研修センター」として製品のサポート・サービスのトレーニングを行う場として活用します。また、産学連携拠点として、大学・研究機関との連携なども検討しています。

■第三研究開発棟（仮称）概要

所在地　京都市伏見区竹田田中宮町93番（現研究開発センター隣接）

建物概要　地上2階建て、鉄骨造。延床面積：約850平方メートル

建設計画　2024年5月着工、2024年12月完成（予定）

施設構成　研究開発棟（1階：研究施設、2階：事務所）

人員　20～30名

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