ニュースリリース

2007年

2007年11月20日

第2研究開発棟の建設を開始

 当社は、本社社屋の近接地で昨年新設した製品サービスセンターの北隣(伏見区竹田藁屋町67番地)に次世代半導体材料として期待される窒化物材料(窒化ガリウム等)や酸化物材料(酸化亜鉛等)、強誘電体材料(ビスマス・チタン系酸化物)などの材料および結晶成長の研究を産学連携で行う第2研究開発棟を建設することを決め、去る11月20日、地鎮祭を行いました。


 当社は半導体製造装置メーカーとしてはいち早く、LEDや半導体レーザー用の化合物半導体市場の成長を見込み、同分野向けに実験研究用途から量産用途までのエッチング装置やパッシベーション膜形成用プラズマCVD装置を拡販し、売上を大きく伸ばしてまいりました。
 今後さらに期待される同分野向けの窒化物、酸化物材料の研究および装置化事業を加速させるため、新しく研究棟を建設します。従来からのエッチング技術やパッシベーション膜の研究のほか、結晶成長まで含めた研究拠点として活用していく予定です。


 第2研究棟は、京都市の新規産業基盤の整備構想による「高度集積地区」の中心的な地域で、京都府見本市会館(パルスプラザ)の向いに位置します。竣工は2008年3月末を予定しています。