矽深蝕刻設備 RIE-800iPB

Description

RIE-800iPB採用了電感耦合電漿(Inductively Coupled Plasma),是加工MEMS/TSV、電子元件用途的高速矽深蝕刻設備。這台設備是以擁有豐富銷售實績的莎姆克ICP蝕刻設備為基礎,導入德國博世公司授權的專利矽深蝕刻技術所開發出來的,可以在維持高蝕刻速率和選擇性的同時進行50以上的高長寬比和低側壁波紋的加工。

高性能電耦合電漿(ICP)蝕刻系統. 用於高密度電漿矽深蝕刻MEMS及TSV元件. RIE-800iPB是特別為矽晶片的Bosch(授權於Robert Bosch GmbH)製程設計. 系統獨特的反應器, 電極, 平台及真空設計優於其他同業. 蝕刻速率高 (~50 μm/min), 垂直性佳, 深寬比高且領先業界的高選擇比(over 100:1).

Key Features and Benefits

大於50以上的高長寬比加工

獨特的電漿源和反應腔體構造可在維持垂直蝕刻形狀的狀態下進行高長寬比的加工。

低側壁波紋加工

透過快速切換反應氣體可在維持蝕刻速率的同時減少側壁波紋。

豐富的製程數據庫

2003年,莎姆克作為日本的設備製造商最先取得博世製程的授權。之後便一直持續累積相關製程的經驗,可為客戶提供各種形狀和材料的加工數據。

Applications

  • MEMS(加速度感測器、陀螺儀、壓力感測器、致動器等)的製作
  • 矽穿孔(TSV)
  • 噴墨印表機噴頭加工
  • 功率器件(超接合面MOSFETs)
  • 電漿切割