![サムコ株式会社[samco ® Partners in Progress]](http://www.samco.co.jp/products/img/hd_logo.gif){kind=logo}
高速成膜とストレス制御が可能 独自のセルフバイアス法の採用により高速（300～500nm/min）かつ低ストレスの成膜が可能です。
低温成膜が可能 室温～350℃程度の低温成膜が可能です。また、プラスチック上への成膜が可能です。
ステップカバレージに優れた成膜が可能 液体ソースのTEOSを用いるLS-CVD法によりステップカバレージと埋め込み効果に優れた成膜が可能です。
パーティクルの発生を抑制 反応室に独自の工夫を施し、パーティクルの発生を抑制しています。
TSVの側壁絶縁膜形成 3次元LSIでの貫通ビア形成プロセスにおける側壁への絶縁膜形成
光導波路など光学部品の製造
MEMSのマスク及び酸化膜犠牲層形成
プラスチック材料の保護膜の形成
高アスペクト比段差への被膜
