沿革｜サムコ株式会社

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1979年	9月	半導体製造装置の製造及び販売を目的として株式会社サムコインターナショナル研究所を設立
1980年	7月	半導体プロセス用大型CVD装置を開発、販売を開始
1981年	4月	国産初の化合物半導体製造用MO-CVD装置を開発、販売を開始
1984年	7月	東京出張所を開設
1985年	6月 6月 10月	京都市伏見区竹田田中宮町33番地（現藁屋町36番地）に本社を移転米国マーチインスツルメンツ社（現ノードソン社）の製品の販売を開始東京営業所を開設
1987年	2月	米国カリフォルニア州にオプトフィルムス研究所を開設
1990年	1月 11月	神奈川出張所を開設液体ソースによるSiO2成膜用CVD装置の開発、販売を開始
1991年	3月 12月	京都市伏見区に研究開発センターを開設京都市伏見区に第2工場を開設
1993年	2月 9月	つくば出張所を開設東海営業所を開設
1994年	2月	米国シンメトリックス社の技術を用いた「強誘電体成膜装置」の製造、販売を開始
1995年	7月 12月	薄膜技術を使った特定フロン無公害化技術の基本技術の開発小型、汎用プラズマエッチング装置RIE-10NRの開発、販売を開始
1996年	12月	高密度プラズマICPエッチング装置RIE-101iPの開発、販売を開始
1997年	1月 1月	キリンビール株式会社と共同で、プラスチックボトルに DLC（ダイヤモンド・ライク・カーボン）膜を形成する技術を開発小型高密度プラズマICPエッチング装置RIE-200iPの開発、販売を開始
1998年	3月 11月 12月	広島出張所を開設量産型高密度プラズマエッチング装置RIE-101iPCの開発、販売を開始小型、汎用プラズマCVD装置PD-220の開発、販売を開始
1999年	7月	サムコエンジニアリング株式会社より、サービス部門の営業を譲受け
2000年	1月 5月	英国ケンブリッジ大学内に研究所を開設量産型実装用プラズマ洗浄装置PXA-200Nの開発、販売を開始
2001年	5月 7月 7月 10月	日本証券業協会に株式を店頭上場つくば出張所を営業所へ拡充台湾事務所（新竹市）を開設仙台出張所を開設
2003年	11月 12月	量産用プラズマCVD装置PD-220LCの開発、販売を開始 (独)ロバート・ボッシュ社よりシリコンの高速ディープエッチング技術を導入
2004年	11月 12月 12月 12月	上海事務所を開設株式会社サムコインターナショナル研究所からサムコ株式会社へ社名を変更株式売買単位を1,000株から100株に変更日本証券業協会への店頭登録を取消し、ジャスダック証券取引所に株式を上場
2005年	2月 5月	生産機事業部を新設汎用研究試作用プラズマCVD装置PD-2203L(商品名:ClusterLab)の開発、販売を開始
2006年	3月 5月 5月 9月	製品サービスセンターを新設 MEMS用高速エッチング装置RIE-800iPBの開発、販売を開始株式会社SUMCOに対し商標権侵害等で差止請求訴訟を提起中国清華大学とナノ加工技術の共同研究で調印
2007年	11月	半導体レーザ用エッチング装置RIE-140iP/iPCの開発、販売を開始
2008年	3月 5月 8月 8月 11月	京都市伏見区に第2研究開発棟を開設窒化ガリウム膜形成用量産MO-CVD装置MCV-2018の開発、販売を開始株式会社SUMCOとの裁判上の和解が成立韓国事務所を開設化合物半導体プロセス用ドライエッチング装置RIE-330iPCの開発、販売を開始
2009年	1月 4月 10月	台湾に保守サービスのための現地法人「莎姆克股分有限公司」を設立京都ホテルオークラにて30周年記念感謝の会開催 MEMS用高速エッチング装置RIE-400iPBの開発、販売を開始
2010年	4月 8月 9月	ジャスダック証券取引所と大阪証券取引所の合併に伴い、大阪証券取引所JASDAQ市場に上場台南サービスオフィスを開設米国ノースカロライナ州にイースト・コースト・オフィスを開設北京事務所を開設