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> プロセスデータ
> 電子部品分野
マイクロマシンSiの高速エッチング
（レート：30μm/min）
RIE-800iPBによる加工
SiCのビアホール加工。1.3μm/minの高速エッチングが異方性よく実現している。
RIE-200iP
マイクロマシンマイクロローディング効果を抑制したSiの加工
RIE-800iPBによる加工
シリコンゴム製μTASのマスター製作のためのSiのエッチング
《理化学研究所 バイオ工学研究室提供》
RIE-10NRによる加工
マイクロマシンSiの低スカロップ加工
RIE-800iPBによる加工
ミストデポジション法で強誘電体本来の高誘電性の特性を持つナノチューブを形成
LS-CVD装置
マイクロマシンSiの高アスペクト比のエッチング
RIE-800iPBによる加工
XeF2エッチング装置により犠牲層（Si）を 除去し、螺旋状の構造体を形成
VPE-4Fによる加工
マイクロマシンSi角孔エッチング
RIE-400iPBにて加工可能
XeF2エッチング装置により犠牲層（Si）を 除去し、基板から1μm浮かしたパリレンの 可動体を製作
《関西大学工学部 青柳研究室提供》
VPE-4Fによる加工
マイクロマシンSiの構造体の製作
RIE-400iPBにて加工可能
LS-CVD装置により成膜したMEMS用カソードLS-SiN膜のアルカリ耐性
《福島県ハイテクプラザ プロセス技術グループ 伊藤主任研究員殿提供》
マイクロマシンSiのピラー加工
RIE-400iPBにて加工可能
ポールの形成のためのフォトレジストの高アスペクト比エッチング
ICPエッチング装置による加工
