> 技術資料
次世代パワーデバイスのブレークスルーを提案
SiO2、SiC高速エッチングプロセスデータ
TSV絶縁膜形成用 プラズマCVD装置 PD-330STC
SiCパワーデバイスへの取り組み
照明用LEDパッケージ（実装基板）のプラズマ
化合物半導体のディープエッチング（GaAs Deep Etching）
TSV向け低温形成絶縁膜技術
量産用エッチング装置 RIE-330iPC プロセスデータ
One Stop Solution for LED の紹介
Si深堀り装置 RIE-800iPB プロセスデータ
Properties of SiCN Films Prepared by Cathode Coupled P-CVD Using Liquid Source Material
有機EL用CVD装置_「2008 有機ELテクノロジー大全」掲載（電子ジャーナル／2008年2月1日発行）
パワーデバイス用エッチング装置_「2011 パワーデバイス技術大全」掲載（電子ジャーナル／2011年2月1日発行）
研究開発用 高速シリコンディープエッチング装置 RIE-400iPB
化合物半導体プロセス用多数枚処理専用ICPエッチング装置 RIE-330iP/iPC
MEMS用エッチング装置_「2008 マイクロマシン/MEMS技術大全」掲載（電子ジャーナル／2008年2月29日発行）
化合物半導体プロセス専用ICPエッチング装置 RIE-140iP/iPC
トルネードICPエッチング装置によるGaNの高精度加工
プラズマ洗浄・表面処理装置_「2009 電子回路基板技術大全」掲載（電子ジャーナル／2008年12月5日発行）
Samco-Interview 科学者様、研究者様へのインタビューをご紹介
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![サムコ株式会社[samco ® Partners in Progress]](http://www.samco.co.jp/products/img/hd_logo.gif){kind=logo}
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