電漿輔助沉積(ALD)設備 AD-230LP
優秀的製程重複性和穏定性
概要
AD-230LP是可原子級控制厚度的ALD (Atomic Layer Deposition: 原子層沉積)設備，將有機金屬材料和氧化劑交替供應至反應腔體裡，只利用表面反應沉積薄膜。此設備載有晶圓搬送腔體，反應腔體不接觸到大氣環境，因此可達到良好的重現性。
特色
- 原子級控制薄膜均勻性
- 可於高深寬比的結構上沉積保形膜
- 優秀的晶圓內均勻性和重現性， 同時實現穩定的製程
- 氣體管路和排氣均優化過，獨特的反應腔體構造可抑制微粒的產生
- 藉由採用電容式耦合電漿(CCP)將反應腔體的體積壓縮到最小,可縮短吹除(Purge)所需時間以加快循環(Cycle)速度
應用
- 氮化膜(AlN、SiN)及氧化膜(AlOx、SiO2)的低溫沉積
- 電子元件的閘極絕緣膜
- 半導體、有機EL的鈍化膜
- 半導體雷射的反射面
- MEMS等3D結構上的薄膜沉積
- 石墨烯上的薄膜沉積
- 奈米碳管保護膜的覆蓋層
