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LS-CVD

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半導體技術隨著摩爾定律發展。然而,一旦加工線寬減少到22奈米,要繼續縮短就會變得非常困難。近年來,"矽穿孔(TSV)"技術受到很大的矚目。TSV是一種3D封裝技術。它需要低溫環境來沉積高密度的絕緣膜。沉積SiO2膜通常使用SiH4,但是由於其具有毒性和爆炸性所以並不安全。莎姆克為了解決安全性的問題,超過20年來持續使用液態源(TEOS)來取代SiH4

 

LS-CVD設備是使用液態源的電漿CVD設備。TEOS在操作和安全性上不僅優於SiH4,而且其生成的薄膜品質也可媲美SiH4生成的薄膜。LS-CVD設備除了可生成 SiO2膜之外也可以沉積DLC膜。

 

使用陰極耦合的LS-CVD設備是莎姆克獨創的技術。陰極耦合可蒸發液態源並促進離子的轉換。陰極上的強電場可駕馭離子能量來控制膜壓和密度以達到良好的覆蓋率。同時,陰極耦合也可在低溫環境下沉積薄膜。


Cathode Coupling CVD


Insulating Layer on TSV deposited at 150°C or less

TEOS與陰極耦合的組合在TSV的製程裡能夠在高長寬比的孔上沉積高品質及高覆蓋率的TEOS-SiO2膜。

 

莎姆克的LS-CVD設備被廣泛應用在各種製程中,例如:TSV製程中沉積絕緣膜以及MEMS製程中沉積氧化犧牲層等。

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