CVD Systems

LS-CVD (Liquid Source CVD) Systems

HOME > 沉積設備 > 液態源沉積設備

莎姆克的液態源CVD(LS-CVD)設備可滿足MEMS、三維大規模集成電路以及光電器件製程中高覆蓋率的要求。更重要的是,這項技術允許在低溫環境下沉積薄膜且製程中不需要使用有毒和可燃性氣體。LS-CVD設備可沉積高質量的四乙氧基矽烷-二氧化矽(TEOS-SiO2)、LS-SiN、高誘電率絕緣以及類鑽碳薄膜。

PD-270STP

PD-270STP

  • 液態源CVD設備
  • 可低溫沉積氧化厚膜
  • 最大可處理8英吋晶圓
  • 高沉積速率

Details

PD-270STL

PD-270STL

  • 液態源CVD設備
  • 可低溫沉積氧化厚膜
  • 最大可處理8英吋晶圓
  • 於PD-270STP的基礎上加裝晶圓搬送腔體

Details

PD-270STLC

PD-270STLC

  • 液態源CVD設備
  • 可低溫沉積氧化厚膜
  • 最大可處理8英吋晶圓
  • 具有晶圓裝卸腔體的量產型設備


Details

PD-330STLC

PD-330STLC

  • 最大可處理12英吋晶圓
  • 高沉積速率
  • 可於高深寬比的洞內沉積薄膜並完全符合其形狀
  • 適合用於矽穿孔、三維封裝和MEMS的製造

Details

CONTACT US

TECH NOTES

Back to Top