CVD Systems

Plasma Enhanced CVD (PECVD) Systems

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電漿加強式化學氣相沉積(PECVD)設備是針對沉積絕緣和鈍化膜而設計的。它被用於半導體和矽器件的製造上。莎姆克的PECVD設備可沉積高質量的矽系薄膜(SiO2、Si3N4、SiOxNy、a-Si:H)。

PD-220NA

PD-220NA

  • 可沉積SiN和SiO2
  • 最大可處理8英吋晶圓
  • 低價位以及小巧設計
  • 抽氣櫃室

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PD-220NL

PD-220NL

  • 沉積氧化膜和氮化膜
  • 擁有晶圓搬送腔體
  • 最大可處理8英吋晶圓
  • 緊湊型設計
  • 可儲存製程配方和數據資料

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PD-220LC

PD-220LC

  • 量產型設備
  • 沉積鈍化層和介電質
  • 腔體-腔體設計
  • 最大可處理8英吋晶圓

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PD-2203L

PD-2203L

  • 模塊化設備(最多可設置3個反應腔體)
  • 緊湊型設計
  • 可防止互相汙染

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PD-3800L

PD-3800L

  • 沉積氧化膜和氮化膜
  • 在原有的PD-3800的設計上加裝晶圓搬送室
  • 量產型設備

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PD-5400

PD-5400

  • 沉積氮化矽膜
  • 沉積氧化矽膜
  • 承座的面積為210x295mm
  • 優秀的薄膜厚度均勻度

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