Etching Systems

RIE-400iPB

矽深蝕刻設備
莎姆克RIE-400iPB是利用高密度電漿來高速蝕刻矽的ICP蝕刻設備,適合用於MEMS和電子裝置的製造。它最大可處理4英吋晶圓,並在設計上保留了大型設備RIE-800iPB的高性能,使操作和保養變得簡單,價格也更實惠。

 

RIE-400iPB可提供高精確度和高可控性的二氧化矽蝕刻,並將轉換時間縮減至最小。另外,其還可提供二氧化矽的高精度且高可控性的蝕刻並可將轉換時間縮短至最小程度。RIE-400iPB可處理二氧化矽和矽的特徵使投資報酬率達到最高。


用途

  • MEMS器件的製造(加速感應器等)
  • 噴墨印表機噴頭
  • 三維封裝中的矽穿孔
  • 醫療器件的製造

特徵

  • 專為博世製程設計的腔體使用特殊的電漿源使高速且高蝕刻選擇比的矽深蝕刻成為可能
  • 專為研發目的設計-容易操作、容易保養、低成本、高效能
  • 可另外增加蝕刻二氧化矽的機能
  • 反應氣體的高速切換可縮小側壁扇形區
  • 可蝕穿晶圓(深度:600μm)
  • SOI(絕緣體上矽磊晶)溝槽防止技術

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  • Features
  • High Rate Etching

    專為博世製程設計的設備

  • High Aspect Ratio

    高深寬比

  • Low Scalloping

    低扇形側壁

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TECH NOTES

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