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深層反應性離子蝕刻(DRIE)設備是專為博世製程(經博世公司許可)設計的設備。它可高速且垂直深層蝕刻矽,適合研發和量產目的。

RIE-400iPB

RIE-400iPB

  • 適合研發目的
  • 最大可處理4英吋晶圓
  • 深層蝕刻矽(博世製程)
  • 靜電吸盤和氦氣冷卻

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RIE-800iPB

RIE-800iPB

  • 高速博世製程蝕刻設備
  • 最大可處理8英吋晶圓
  • 靜電吸盤和氦氣冷卻
  • 獨特的承座設計可提升清洗速度並縮短停機時間

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RIE-800iPBC

RIE-800iPBC

  • 最大可處理8英吋晶圓
  • 靜電吸盤和氦氣冷卻
  • 自動晶圓搬送系統
  • 高速送排氣系統可增加側壁的平坦度

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