Etching Systems

RIE-300NR

反應性離子蝕刻設備
莎姆克的RIE-300NR是一台具有高效能和高精度的全自動反應性離子蝕刻設備。它是為了處理直徑為300mm的晶圓而設計的。觸碰螢幕使操作更方便,製程配方的儲存和修改也變得簡單。

 

RIE-300NR能在將側壁被蝕刻的部分減少到最低限度的同時以高蝕刻選擇比蝕刻。其反應腔體四個方向都有真空排氣系統可最大程度提高蝕刻均勻度。

用途

  • 各種矽化膜、化合物半導體以及二氧化矽、多晶矽、氮化矽、砷化鎵、鉬等難熔金屬的非等向性蝕刻
  • 微型機械的生產
  • 半導體失效分析中鈍化層、氮化矽和氧化膜的蝕刻

特徵

  • 最大可處理直徑12英吋晶圓(12枚75mm晶圓、8枚100mm晶圓或3枚150mm晶圓)
  • 同時具有全自動一鍵式操作模式和全手動操作模式可供調整
  • 高蝕刻選擇比的非等向性蝕刻
  • 觸碰螢幕使操作更方便,製程配方的輸入和儲存也變得簡單。

尺寸

設備本體: 850(W) x 1680(D) x 1913(H) mm

真空幫浦: 590(W) x 170(D) x 230(H) mm


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