SiCのトレンチエッチング

SiCトレンチ型パワーMOSFETのトレンチ形成結果。SiO₂マスクを用いて、幅2.5μm、深さ2.5μmの垂直形状で、側面が比較的平滑な、サブトレンチレスのトレンチ形成が達成できています。さらに、SiO₂マスク選択比はトップで7程度、エッチング速度は700nm/minで、ø4インチ面内均一性は±2.4%が得られています。

使用している製品

RIE-800iP