プラズマALD装置 AD-230LP
電子デバイスの絶縁膜、パッシベーション膜に

概要

AD-230LPは、原子レベルの膜厚制御が可能なALD(Atomic Layer Deposition: 原子層堆積)装置です。有機金属原料および酸化剤を交互に反応室に供給し、表面反応のみで成膜します。本装置はロードロック室を有し、反応室を大気開放することがないため、再現性に優れた成膜が可能です。

特長

  • 原子一層レベルの均一なレイヤーコントロールが可能です。
  • 高アスペクト比構造へのコンフォーマルな成膜が可能です。
  • 面内均一性と再現性に優れ、安定したプロセスを実現します。
  • 原料のガスライン、ガスフローを最適化した独自の反応室構造により、パーティクルを抑制します。
  • 容量結合プラズマ(CCP)方式を採用することで、反応室容積を最小化しており、ガスのパージ時間を短縮し、1サイクルを高速化します。

応用例

  • 窒化膜(AlN、SiN)の成膜、酸化膜(AlOx、SiO2)の低温成膜
  • 電子デバイスのゲート絶縁膜
  • 半導体・有機EL等のパッシベーション膜
  • 半導体レーザーの反射面
  • MEMSなど3次元構造への成膜
  • グラフェンへの成膜
  • カーボンナノチューブの保護膜粉体のコーティング

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