当社は、販売代理店契約を締結している米国のMOCVD装置メーカー、Valence Process Equipment, Inc.（以下VPE社、本社 ニュージャージー州ブランチバーグ）から基板有効径がφ550mmの本格量産装置"GaN-550"を京都本社の第2研究開発棟に導入、来年にはデモ機としての活用開始を予定している。

　当社は、本年のノーベル物理学賞でさらに注目を集めるLEDや半導体レーザ、高周波デバイスなどに応用されているワイドバンドギャップ半導体材料分野のグローバル企業として、これらの分野にドライエッチング装置やプラズマCVD装置を拡販している。最近では、省エネルギー効果が大きくグリーンエレクトロニクスの要として期待されている窒化物パワー半導体用の次世代製造装置の販売に注力している。

　一方、VPE社はLED向けの窒化ガリウム（GaN）を中心とするMOCVD装置を製造、販売してきたベンチャー企業であり、独自設計の反応室の採用で高価なプロセスガスの消費量を他社製品比で約40%抑えた"GaN-500"を市場投入し、高い評価を受けている。

　このたび京都本社に設置した"GaN-550"は、"GaN-500"の特徴を受け継ぎ、プロセスガスの消費量を大幅に抑えるとともにガスの高速切替えと温度昇降の制御に優れている。ガス導入口への汚染物の付着が少なく、反応室のクリーニングの頻度も少なくて済むという特徴を有する。窒化ガリウムを1時間当たり5μm以上のレートで成長させることも可能であり、ウエハー間の面内均一性は標準偏差1%以下を実現できる。"GaN-500"の基板有効径がø500mmであるのに対し、"GaN-550"はφ550mmの本格量産用装置として設計されており、1バッチ当たり ø2インチウエハー 72枚、ø4インチウエハー 20枚、ø6インチウエハー 7枚、ø8インチウエハー 4枚の同時処理が可能である。

　今後、デモ機としての活用を開始し、VPE社のMOCVD装置をGaNパワーデバイス向けに拡販していく。窒化物半導体向け製品のラインナップ化を図り、MOCVD装置、プラズマCVD装置、ドライエッチング装置、ドライ洗浄装置の一括提供であるワンストップソリューションをさらに積極的に展開していく。

MOCVD装置のデモ機導入のセレモニー