会期：2013年12月4日（水）～6日（金）
会場：幕張メッセ
ブースNo．3A-605（HALL 3）

　来る12月4日から6日までの3日間、世界最大の半導体製造装置・材料の展示会『セミコン・ジャパン2013』が幕張メッセで開催されます。

　当社は、省エネに寄与する次世代パワーデバイスの材料として開発の進むSiC（炭化ケイ素）やGaN（窒化ガリウム）の最先端加工技術や、スマートフォンや腕時計やメガネ型のウェアラブルデバイスへ搭載されるMEMS（微小電子機械システム）向けの加工技術を中心に展示いたします。

　また、SiCパワーデバイス向け本格量産用ドライエッチング装置『RIE-600iPC』とMEMS/TSV分野の生産に対応したボッシュプロセス対応の高速シリコンディープエッチング装置『RIE-800iPBC』といった業界をリードする新製品を紹介いたします。最新かつ豊富な技術・マーケティング情報が得られるセミコン・ジャパン2013にぜひお越しください。
→SEMICON Japan 2013 公式サイト

SEMICON Japan 2012の様子