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サムコナウ
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2012年
次世代パワーデバイスのブレークスルーを提案
- [ 2012.January ]
2011年
SiO2、SiC高速エッチングプロセスデータ
- [ 2011.October ]
TSV絶縁膜形成用 プラズマCVD装置 PD-330STC
- [ 2011.June ]
SiCパワーデバイスへの取り組み
- [ 2011.April ]
照明用LEDパッケージ（実装基板）のプラズマ洗浄
- [ 2011.January ]
2010年
化合物半導体のディープエッチング
- [ 2010.October ]
TSV向け低温形成絶縁膜技術
- [ 2010.July ]
化合物半導体プロセス用多数枚処理専用エッチング装置 RIE-330iP/iPCプロセスデータ
- [ 2010.April ]
研究開発用 高速シリコンディープエッチング装置 RIE-400iPB
- [ 2010.January ]
2009年
SAMCO One Stop Solutionの紹介
- [ 2009.October ]
高速Boschプロセス専用ICPエッチング装置 RIE-800iPBプロセスデータ
- [ 2009.July ]
化合物半導体プロセス用多数枚処理専用ICPエッチング装置 RIE-330iP/iPC
- [ 2009.January ]
2008年
化合物半導体プロセス専用ICPエッチング装置 RIE-140iP/iPC
- [ 2008.January ]
2007年
Properties of SiCN films prepared by Cathode Coupled PE-CVD Using Liquid Source Material
- [ 2007.October ]
トルネードICPエッチング装置によるGaNの高精度加工
- [ 2007.June ]
2005年
Boschプロセス用ICPエッチング装置と絶縁膜形成用CVD装置の3次元実装への応用
- [ 2005.October ]
