![サムコ株式会社[samco ® Partners in Progress]](http://www.samco.co.jp/products/img/hd_logo.gif){kind=logo}
> プロセスデータ
> オプトエレクトロニクス分野
青色LED用の垂直かつ平滑なGaNエッチング
RIE-200iPによる加工
回折格子などの光学デバイスの作製を主な目的としたナノインプリント用モールドの形成のためのSiの微細加工
《理化学研究所提供》
RIE-200iPによる加工
青色LEDの外部量子効率を向上させるためのサファイアのPSS加工
RIE-330iPCによる加工
AlGaAs系VCSELの高精度加工
RIE-140iPにて加工可能
結晶欠陥の少ないGaNを成長させるためのGaNの前加工《三重大学工学部 平松研究室提供》
RIE-10NRによる加工
GaN系半導体 レーザの高精度加工
RIE-140iPにて加工可能
GaInAsP フォトニック結晶の高精度加工
《京都大学工学研究科 野田研究室提供》
Science 308, 1296(2005)
RIE-200iPによる加工
P、BドープSiO2のレンズへの応用
《産業技術総合研究所 関西センター提供》
LS-CVD®装置による成膜
GaInAsP フォトニック結晶の高精度加工
《横浜国立大学工学研究院 馬場研究室提供》
RIE-200iPによる加工
F添加量を傾斜変化させたSiO2膜の応用
《産業技術総合研究所 関西センター提供》
LS-CVD®装置による成膜
InP系フォトニック結晶レーザの円孔の高精度加工
《横浜国立大学工学研究院 馬場研究室提供》
RIE-200iPによる加工
F-SiO2と無添加SiO2の多層膜での湿式エッチング速度の違いを利用した3D微細周期構造
《産業技術総合研究所 関西センター提供》
LS-CVD®装置による成膜
Siエアブリッジ型 フォトニック結晶導波路の円孔の高精度加工
《横浜国立大学工学研究院 馬場研究室提供》
RIE-200iPによる加工
Si曲げ導波路の加工
《横浜国立大学工学研究院 馬場研究室提供》
RIE-101iPHにて加工可能
ボッシュプロセスを用いたSiディープエッチング
RIE-400iPBにて加工可能
光導波路のクラッド・コアの形成のための屈折率の異なるTEOS-SiO2厚膜の成膜
LS-CVD®装置による成膜
