半導体・電子部品の製造装置

RIE-800iPBは、放電形式に誘導結合方式（Inductively Coupled Plasma）を採用したMEMS、電子部品製作用途の高速シリコンディープエッチング装置です。本装置は、実績豊富なトルネードICP装置を基礎に、ロバートボッシュ社（独）が有するシリコンディープエッチングに関する特許をライセンス導入して開発した高速シリコンディープエッチング装置です。