半導体・電子部品の製造装置

RIE-200iPは、放電形式に誘導結合方式（Inductively Coupled Plasma）を採用し、各種材料の超微細加工を高速で行うことを目的としたロードロック式ICPエッチング装置です。本装置では、独自のトルネード型コイル電極の採用により、安定した高密度プラズマを効率よく発生させ、シリコンおよび各種金属薄膜、化合物半導体などの高精度の異方性エッチングが可能です。