半導体・電子部品の製造装置

化合物半導体プロセスやシリコンウエハープロセスでの層間絶縁膜、パッシベーション膜の形成を目的としています。
サムコのプラズマCVD装置は高品質のシリコン窒化膜、シリコン酸化膜、アモルファスシリコン膜などの形成が可能です。

サムコが提案するLS（Liquid Source＝液体ソース）CVD®法は、半導体、電子部品製造プロセスで要求される良好なステップカバレージと高い平坦度、埋め込み特性などに優れた成膜法です。低温成膜が可能であり、毒性や発火性を持つガスを使用しないため安全性にも優れています。TEOS-SiO2、LS-SiN（シリコン窒化膜）や高誘電率薄膜、DLC（ダイアモンドライクカーボン）形成用の装置です。